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半导体级高纯多晶硅石英坩埚是拉制大直径单晶硅的消耗性器皿，每生产一炉单晶硅就用掉一只坩埚。单晶硅是生产大规模集成电路的原材料，对坩埚的要求十分苛刻。
一般国际上对多晶硅石英坩埚的要求：材质必须是高纯度半导体级；耐高温性强；坩埚的尺寸大；精度高；保温性能好；节约能源；产品质量一致性好；稳定性高等特点。多晶硅石英坩埚在使用时应注意两点：
1．多晶硅石英坩埚可在1700度以下灼烧，但灼烧温度高于1100度石英会变成不透明，因此熔融温度不应超过800度。
2、不能和HF接触，高温时，极易和苛性碱及碱金属的碳酸盐作用。
多晶硅石英坩埚是半导体工业、电子信息产业、太阳能光伏电池产业的主要、基础的功能性材料。主要用做半导体的原料，是制做单晶硅的主要原料，可作各种晶体管、整流二极管、可控硅、太阳能电池、集成电路、电子计算机芯片以及红外探测器等。
多晶硅石英坩埚是制备单晶硅的唯 一原料和生产太阳能电池的原料。随着近几年我国单晶硅产量以年均26%的速度增长，多晶硅石英坩埚的需求量与日俱增，目前供应日趋紧张。我国2000年产单晶硅459吨，2003年增加到1191吨，预计2005年产量将达1700吨，消耗多晶硅石英坩埚2720吨。从单晶硅产品结构看，太阳电池用单晶硅产量增长快，2000年产量207吨，2003年为696吨。预计2005年将达到1000吨，约需多晶硅石英坩埚1590吨，而国内2004年仅生产多晶硅石英坩埚57.7吨，绝大部分需要进口。
